VNS1NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Описание на продукта
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибута |
| производител: | STMicroelectronics |
| Категория на продукта: | Драйвери за порти |
| Продукт: | Драйвери за MOSFET Gate |
| Тип: | Ниска страна |
| Стил на монтаж: | SMD/SMT |
| Опаковка / Калъф: | SOIC-8 |
| Брой драйвери: | 2 Шофьор |
| Брой изходи: | 2 Изход |
| Изходен ток: | 1.7 A |
| Захранващо напрежение - Макс. | 24 V |
| Време на нарастване: | 500 ns |
| Есенно време: | 600 ns |
| Минимална работна температура: | - 40 С |
| Максимална работна температура: | + 150 С |
| серия: | VNS1NV04DP-E |
| Квалификация: | AEC-Q100 |
| Опаковка: | Макара |
| Опаковка: | Нарязана лента |
| Опаковка: | MouseReel |
| Марка: | STMicroelectronics |
| Чувствителен към влага: | да |
| Работен захранващ ток: | 150 uA |
| Вид на продукта: | Драйвери за порти |
| Фабрично количество в опаковка: | 2500 |
| подкатегория: | PMIC - ИС за управление на захранването |
| технология: | Si |
| Единично тегло: | 0,005291 унция |
♠ OMNIFET II напълно автоматично защитен Power MOSFET
VNS1NV04DP-E е устройство, съставено от два монолитни чипа OMNIFET II, поставени в стандартна кутия SO-8.OMNIFET II са проектирани в технологията STMicroelectronics VIPower™ M0-3: те са предназначени за замяна на стандартни мощностни MOSFET от DC до 50KHz приложения.Вградено термично изключване, линейно ограничаване на тока и клема за пренапрежение предпазват чипа в тежки среди.
Обратната връзка за неизправност може да бъде открита чрез наблюдение на напрежението на входния щифт.
• Ограничение на линейния ток
• Термично изключване
• Защита от късо съединение
• Интегрирана скоба
• Нисък ток, изтеглен от входния щифт
• Диагностична обратна връзка чрез входен щифт
• ESD защита
• Директен достъп до портата на захранващия MOSFET (аналогово управление)
• Съвместим със стандартен захранващ MOSFET
• В съответствие с европейската директива 2002/95/EC
