NVTFS5116PLTWG MOSFET единичен P-канал 60V,14A,52mohm
♠ Описание на продукта
| Атрибут на продукта | Стойност на атрибута |
| производител: | онсеми |
| Категория на продукта: | MOSFET |
| технология: | Si |
| Стил на монтаж: | SMD/SMT |
| Опаковка / Калъф: | WDFN-8 |
| Полярност на транзистора: | P-канал |
| Брой канали: | 1 канал |
| Vds - Пробивно напрежение дрейн-източник: | 60 V |
| Id - Непрекъснат дренажен ток: | 14 А |
| Rds On - съпротивление изтичане-източник: | 52 mOhms |
| Vgs - напрежение порта-източник: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - прагово напрежение на порта-източник: | 3 V |
| Qg - Зареждане на вратата: | 25 nC |
| Минимална работна температура: | - 55 С |
| Максимална работна температура: | + 175 С |
| Pd - Разсейване на мощността: | 21 W |
| Режим на канала: | Подобрение |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Опаковка: | Макара |
| Опаковка: | Нарязана лента |
| Опаковка: | MouseReel |
| Марка: | онсеми |
| Конфигурация: | Неженен |
| Права транскондуктивност - мин.: | 11 S |
| Вид на продукта: | MOSFET |
| серия: | NVTFS5116PL |
| Фабрично количество в опаковка: | 5000 |
| подкатегория: | MOSFET транзистори |
| Тип транзистор: | 1 P-канал |
| Единично тегло: | 0,001043 унция |
• Малък отпечатък (3,3 x 3,3 mm) за компактен дизайн
• Ниска RDS (включена) за минимизиране на загубите на проводимост
• Нисък капацитет за минимизиране на загубите на драйвера
• NVTFS5116PLWF − Умокряем флангов продукт
• Квалифициран за AEC−Q101 и PPAP способен
• Тези устройства не съдържат Pb и са съвместими с RoHS
